Name: GD30MPS12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-GD30MPS12J-TR-ND
Price: 15.84 EUR
Availability: InStock

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GD30MPS12J-TR
Numéro de produit DigiKey	1913-GD30MPS12J-TR-ND - Bande et bobine 1913-GD30MPS12J-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1913-GD30MPS12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	GD30MPS12J-TR
Description	DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 59A Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io)
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.	Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns
Série SiC Schottky MPS™	Courant - Fuite inverse à Vr 20 µA @ 1200 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité à Vr, F 1101pF à 1V, 1MHz
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Type de montage Montage en surface
Technologies SiC (Silicon Carbide) Schottky	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1200 V	Boîtier fournisseur TO-263-7
Courant - Moyen redressé (Io) 59A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.8 V @ 30 A