Diode 1200 V 1A Montage en surface TO-252
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GB01SLT12-252

Numéro de produit DigiKey
1913-GB01SLT12-252TR-ND - Bande et bobine
1913-GB01SLT12-252DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant
GB01SLT12-252
Description
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Référence client
Description détaillée
Diode 1200 V 1A Montage en surface TO-252
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Série
SiC Schottky MPS™
Conditionnement
Bande et bobine
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
1A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 1 A
Vitesse
Temps de récupération nul > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
2 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F
69pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Boîtier fournisseur
TO-252
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
GB01SLT12
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Obsolète
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