Diode 3300 V 300mA Trou traversant TO-220FP
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GAP3SLT33-220FP

Numéro de produit DigiKey
1913-GAP3SLT33-220FP-ND
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant
GAP3SLT33-220FP
Description
DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP
Référence client
Description détaillée
Diode 3300 V 300mA Trou traversant TO-220FP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Série
SiC Schottky MPS™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
3300 V
Courant - Moyen redressé (Io)
300mA
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 300 mA
Vitesse
Temps de récupération nul > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 µA @ 3300 V
Capacité à Vr, F
42pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
Boîtier comple TO-220-2
Boîtier fournisseur
TO-220FP
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
GAP3SLT33
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Obsolète
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