Bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC
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LM5110-1M/NOPB

Numéro de produit DigiKey
2156-LM5110-1M/NOPB-ND
Fabricant
National Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
LM5110-1M/NOPB
Description
LM5110 DUAL 5A COMPOUND GATE DRI
Référence client
Description détaillée
Bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
National Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Programmable DigiKey
Non vérifié
Configuration
Bas potentiel
Type de canal
Indépendant
Nombre de circuits d'attaque
2
Type de grille
MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation
3,5V ~ 14V
Tension logique - VIL, VIH
0,8V, 2,2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
3A, 5A
Type d'entrée
Sans inversion
Temps de montée / descente (typ.)
14ns, 12ns
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
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