Name: VN3205N3-G-P002
Brand: Microchip Technology
SKU: VN3205N3-G-P002-ND
Price: 0.84989 EUR
Availability: OutOfStock

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VN3205N3-G-P002
Numéro de produit DigiKey	VN3205N3-G-P002-ND - Bande et bobine
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	VN3205N3-G-P002
Description	MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	7 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 50 V 1,2 A (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	VN3205N3-G-P002 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,2 A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	300mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 10mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	300 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
Numéro de produit de base	VN3205