Name: TP2635N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TP2635N3-G-ND
Price: 2.052 EUR
Availability: InStock

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TP2635N3-G
Numéro de produit DigiKey	TP2635N3-G-ND
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	TP2635N3-G
Description	MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 350 V 180mA (Tj) 1W (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TP2635N3-G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Sac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	350 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	15ohms à 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	300 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-92-3
Boîtier	TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Numéro de produit de base	TP2635