Name: TP2510N8-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TP2510N8-GTR-ND
Price: 1.584 EUR
Availability: InStock

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TP2510N8-G
Numéro de produit DigiKey	TP2510N8-GTR-ND - Bande et bobine TP2510N8-GCT-ND - Bande coupée (CT) TP2510N8-GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	TP2510N8-G
Description	MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 480mA (Tj) 1,6W (Ta) Montage en surface TO-243AA (SOT-89)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TP2510N8-G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	480mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5ohms à 750mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	125 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,6W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-243AA (SOT-89)
Boîtier	TO-243AA
Numéro de produit de base	TP2510