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Fiche technique
Diode 200 V 3A Trou traversant B, Axial
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1N5417E3

Numéro de produit DigiKey
1N5417E3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
1N5417E3
Description
DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
35 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 200 V 3A Trou traversant B, Axial
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.5 V @ 9 A
Fabricant
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Conditionnement
En vrac
Temps de recouvrement inverse (trr)
150 ns
Statut du composant
Actif
Type de montage
Technologies
Boîtier
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Boîtier fournisseur
B, Axial
Courant - Moyen redressé (Io)
3A
Température de fonctionnement - Jonction
-65°C ~ 175°C
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (9)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
1N5417E3/TRMicrochip Technology0150-1N5417E3/TR-ND4,54170 €Équivalent paramétrique
JAN1N5417Microchip Technology01086-2088-ND5,30000 €Équivalent paramétrique
JAN1N5417/TRMicrochip Technology0150-JAN1N5417/TR-ND5,91600 €Équivalent paramétrique
JANS1N5417Microchip Technology0JANS1N5417-ND48,72840 €Équivalent paramétrique
JANS1N5417/TRMicrochip Technology0150-JANS1N5417/TR-ND48,87240 €Équivalent paramétrique
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