MCB60I1200TZ-TUB IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

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MCB60I1200TZ-TUB
Numéro de produit DigiKey	238-MCB60I1200TZ-TUB-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	MCB60I1200TZ-TUB
Description	SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 90 A (Tc) Montage en surface TO-268AA (D3Pak-HV)
Modèles EDA/CAO	MCB60I1200TZ-TUB Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	34mohms à 50A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 15mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	160 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2790 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-268AA (D3Pak-HV)
Boîtier	TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Numéro de produit de base	MCB60I1200