


IXTY2N100P | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXTY2N100P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTY2N100P |
Description | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 50 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1000 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 7,5ohms à 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,5V à 100µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 24.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 655 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 86W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-252AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,78000 € | 3,78 € |
| 70 | 1,85186 € | 129,63 € |
| 140 | 1,68814 € | 236,34 € |
| 560 | 1,43461 € | 803,38 € |
| 1 050 | 1,34564 € | 1 412,92 € |
| 2 030 | 1,32520 € | 2 690,16 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,78000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 4,53600 € |




