Name: IXTY2N100P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY2N100P-TRLTR-ND
Price: 1.59024 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTY2N100P-TRL
Numéro de produit DigiKey	238-IXTY2N100P-TRLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTY2N100P-TRL
Description	MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	Polar
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,5ohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	655 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	86W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IXTY2