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IXTT16N10D2 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Recommandation fabricant
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTT16N10D2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTT16N10D2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTT16N10D2 |
Description | MOSFET N-CH 100V 16A TO268 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N, mode de déplétion 100 V 16 A (Tc) 830W (Tc) Montage en surface TO-268AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 0V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 64mohms à 8A, 0V | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 225 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 5700 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 830W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-268AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
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