Name: IXTP08N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP08N100D2-ND
Price: 3.78 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTP08N100D2
Numéro de produit DigiKey	238-IXTP08N100D2-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTP08N100D2
Description	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IXTP08N100D2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	Depletion
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N, mode de déplétion
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	800mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	21ohms à 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	325 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IXTP08

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,15000 €	3,15 €
50	1,59100 €	79,55 €
100	1,44010 €	144,01 €
500	1,17566 €	587,83 €
1 000	1,09073 €	1 090,73 €
2 000	1,03391 €	2 067,82 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.