Name: IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ25N120R1-ND
Price: 14.076 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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IXSJ25N120R1
Numéro de produit DigiKey	238-IXSJ25N120R1-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXSJ25N120R1
Description	1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 28 A (Tc) 75,3W (Tc) Trou traversant ISO247-3L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	28 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	81mohms à 12A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,8V à 5,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	52 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+21V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1435 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	75,3W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	ISO247-3L
Boîtier	TO-247-3

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	11,73000 €	11,73 €
30	7,12467 €	213,74 €
120	6,11550 €	733,86 €
510	5,92716 €	3 022,85 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.