Name: IXSG40N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG40N65L2KTR-ND
Price: 7.692 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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IXSG40N65L2K
Numéro de produit DigiKey	238-IXSG40N65L2KTR-ND - Bande et bobine 238-IXSG40N65L2KCT-ND - Bande coupée (CT) 238-IXSG40N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXSG40N65L2K
Description	650V 60M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 43 A (Tc) 174W (Tc) Montage en surface TOLL
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	43 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	78mohms à 15A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1218 pF @ 600 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	174W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TOLL
Boîtier	8-PowerSFN