Nouveau produit
TO-263-7
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TO-263-7
TO-263-7

IXSA110N65L2-7TR

Numéro de produit DigiKey
238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Bande et bobine
238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Bande coupée (CT)
238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXSA110N65L2-7TR
Description
650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
-
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
111A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
33mohms à 40A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 12mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
125 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3090 pF @ 600 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
600W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263-7
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
19,41000 €9,41 €
106,50500 €65,05 €
1005,44080 €544,08 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
8004,44508 €3 556,06 €
Conditionnement standard du fabricant
238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Quantité Prix unitaire Prix total
19,41000 €9,41 €
106,50500 €65,05 €
1005,44080 €544,08 €
Prix unitaire sans TVA:9,41000 €
Prix unitaire avec TVA:11,29200 €