IXFY5N50P3 IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

IXFY5N50P3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 2,17000 €

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IXFY5N50P3
Numéro de produit DigiKey	IXFY5N50P3-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFY5N50P3
Description	MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 5 A (Tc) 114W (Tc) Montage en surface TO-252AA

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, Polar3™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,65ohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	370 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	114W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IXFY5N50