Name: IXFN30N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFN30N120P-ND
Price: 48.70896 EUR
Availability: OutOfStock

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IXFN30N120P
Numéro de produit DigiKey	IXFN30N120P-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFN30N120P
Description	MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 30 A (Tc) 890W (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, Polar
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	350mohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	6,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	310 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	19000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	890W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227B
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base	IXFN30

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