Name: IXFH80N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFH80N65X2-ND
Price: 16.128 EUR
Availability: InStock

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IXFH80N65X2
Numéro de produit DigiKey	238-IXFH80N65X2-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFH80N65X2
Description	MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	34 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, Ultra X2
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5,5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8245 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	890W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247 (IXTH)
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IXFH80

Product Questions and Answers

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En stock: 5 318

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	13,44000 €	13,44 €
30	8,26600 €	247,98 €
120	7,13308 €	855,97 €
510	7,08429 €	3 612,99 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.