Name: IRF7389TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7389PBFTR-ND
Price: 1.836 EUR
Availability: InStock

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IRF7389TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7389PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7389PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7389PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7389TRPBF
Description	MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2,5W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7389TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33nC à 10V
Série HEXFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 650pF à 25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 2,5W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration Canaux N et P	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V	Numéro de produit de base IRF738
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 5,8A, 10V