Name: IRF7329TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7329PBFTR-ND
Price: 1.704 EUR
Availability: InStock

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IRF7329TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7329PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7329PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7329PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7329TRPBF
Description	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 12V 9,2A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,2A
Rds On (max.) à Id, Vgs	17mohms à 9,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	57nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3450pF à 10V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	IRF732