IRF7317TRPBF Infineon Technologies | Matrices de FET, MOSFET

IRF7317TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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IRF7317TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7317PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7317PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7317PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7317TRPBF
Description	MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 6,6 A, 5,3 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7317TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 6A, 4,5V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 700mV à 250µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 900pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,6 A, 5,3 A	Numéro de produit de base IRF731