Name: IRF7104TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7104PBFTR-ND
Price: 1.452 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF7104TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7104PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7104PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7104PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7104TRPBF
Description	MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 2,3A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7104TRPBF Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 250mohms à 1A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 290pF à 15V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,3A	Numéro de produit de base IRF71

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2 494

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Types de conditionnement alternatifs.

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine