Name: IRF6674TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6674TRPBFTR-ND
Price: 2.352 EUR
Availability: InStock

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IRF6674TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF6674TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF6674TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF6674TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF6674TRPBF
Description	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 13,4 A (Ta), 67 A (Tc) 3,6W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MZ
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF6674TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13,4 A (Ta), 67 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11mohms à 13,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,9V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,6W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DIRECTFET™ MZ
Boîtier	DirectFET™ Isometric MZ
Numéro de produit de base	IRF6674

Prix unitaire sans TVA:	1,96000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,35200 €

IRF6674TRPBF