Name: IRF6645TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6645TRPBFTR-ND
Price: 1.116 EUR
Availability: InStock

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IRF6645TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF6645TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF6645TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF6645TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF6645TRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 5,7 A (Ta), 25 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ SJ
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF6645TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,7 A (Ta), 25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,9V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	890 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,2W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DIRECTFET™ SJ
Boîtier	DirectFET™ Isometric SJ
Numéro de produit de base	IRF6645

Prix unitaire sans TVA:	0,93000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,11600 €

IRF6645TRPBF