Name: IPW60R024CM8XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R024CM8XKSA1-ND
Price: 10.872 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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IPW60R024CM8XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPW60R024CM8XKSA1-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW60R024CM8XKSA1
Description	IPW60R024CM8XKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 91 A (Tc) 431W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-U06
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW60R024CM8XKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	91 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 41,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,7V à 1,06mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5382 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	431W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3-U06
Boîtier	TO-247-3