Name: IPG20N10S4L22ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND
Price: 3.06 EUR
Availability: InStock

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IPG20N10S4L22ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N10S4L22ATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 20A 60W Montage en surface PG-TDSON-8-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPG20N10S4L22ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 25µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27nC à 10V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1755pF à 25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 60W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Fonction FET Porte de niveau logique	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-4
Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 17A, 10V	Numéro de produit de base IPG20N

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 9 409

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Quantité

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