Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPG20N06S2L35ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N06S2L35ATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 55V 20A 65W Montage en surface PG-TDSON-8-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPG20N06S2L35ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 27µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23nC à 10V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790pF à 25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 65W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Fonction FET Porte de niveau logique	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 55V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-4
Rds On (max.) à Id, Vgs 35mohms à 15A, 10V	Numéro de produit de base IPG20N