Name: IPDQ65R040CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R040CFD7XTMA1TR-ND
Price: 7.752 EUR
Availability: InStock

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IPDQ65R040CFD7XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPDQ65R040CFD7XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPDQ65R040CFD7XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPDQ65R040CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPDQ65R040CFD7XTMA1
Description	HIGH POWER_NEW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 64 A (Tc) 357W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPDQ65R040CFD7XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	64 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 24,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,24mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	97 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4975 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	357W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-22-1
Boîtier	Module 22-PowerBSOP
Numéro de produit de base	IPDQ65