


IPD80R2K8CEATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R2K8CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD80R2K8CEATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Pas pour les nouvelles conceptions | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 2,8ohms à 1,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,9V à 120µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 290 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 42W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-TO252-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,40000 € | 1,40 € |
| 10 | 0,88500 € | 8,85 € |
| 100 | 0,58810 € | 58,81 € |
| 500 | 0,46088 € | 230,44 € |
| 1 000 | 0,41992 € | 419,92 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,33120 € | 828,00 € |
| 5 000 | 0,30704 € | 1 535,20 € |
| 7 500 | 0,29788 € | 2 234,10 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,40000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,68000 € |








