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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPD80R1K4CEBTMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R1K4CEBTMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | En fin de cycle chez DigiKey | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,4ohms à 2,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,9V à 240µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 570 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 63W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-TO252-3-11 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
France