IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IPD30N03S2L20ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD30N03S2L20ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD30N03S2L20ATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 30 A (Tc) 60W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD30N03S2L20ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	20mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 23µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	530 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3-11
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD30N03