Name: IPBE65R230CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND
Price: 3.324 EUR
Availability: InStock

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IPBE65R230CFD7AATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPBE65R230CFD7AATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPBE65R230CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPBE65R230CFD7AATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-3-10
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPBE65R230CFD7AATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ CFD7A
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	230mohms à 5,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 260µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1044 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	63W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-7-3-10
Boîtier	TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette), TO-263CB
Numéro de produit de base	IPBE65