IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IPA041N04NGXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPA041N04NGXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA041N04NGXKSA1
Description	MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 70 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA041N04NGXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	70 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,1mohms à 70A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 45µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4500 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-FP
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	IPA041

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,61000 €	1,61 €
50	0,77380 €	38,69 €
100	0,69210 €	69,21 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.