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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMW65R039M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R039M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R039M1HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 46 A (Tc) 176W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMW65R039M1HXKSA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Pas pour les nouvelles conceptions | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 50mohms à 25A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,7V à 7,5mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 41 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +20V, -2V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1393 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 176W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | PG-TO247-3-41 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 8,13000 € | 8,13 € |
| 30 | 4,79967 € | 143,99 € |
| 120 | 4,06900 € | 488,28 € |
| 510 | 3,82927 € | 1 952,93 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 8,13000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 9,75600 € |
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