Name: IMSQ120R040M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1TR-ND
Price: 19.296 EUR
Availability: InStock

MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 57 A (Tc) 290W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-221

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IMSQ120R040M2HHXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMSQ120R040M2HHXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMSQ120R040M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMSQ120R040M2HHXUMA1
Description	SICFET 2N-CH 1200V 57A HDSOP16
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 57 A (Tc) 290W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-221
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 18A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,1V à 5,5mA
Série CoolSiC™ G2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36nC à 0V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1310pF à 800V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 290W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)	Boîtier 24-BSOP (0,606po, 15,40mm de largeur), 16 sorties, plot exposé
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HDSOP-16-221