Name: IMBG120R140M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R140M1HXTMA1TR-ND
Price: 7.296 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IMBG120R140M1HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBG120R140M1HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG120R140M1HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG120R140M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBG120R140M1HXTMA1
Description	SICFET N-CH 1200V 18A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 18 A (Tc) 107W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMBG120R140M1HXTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	189mohms à 6A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,7V à 2,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13.4 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+18V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	491 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	107W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-7-12
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	IMBG120