Diode 650 V 9A Montage en surface PG-TO263-2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IDK09G65C5XTMA1

Numéro de produit DigiKey
IDK09G65C5XTMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDK09G65C5XTMA1
Description
DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2632
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 9A Montage en surface PG-TO263-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
9A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 9 A
Vitesse
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
1.6 mA @ 650 V
Capacité à Vr, F
270pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur
PG-TO263-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDK09G65
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

0 en stock
Stock de la marketplace : 6 000 Afficher
En raison d'un approvisionnement limité temporaire, nous ne pouvons pas accepter les commandes différées, et le délai d'approvisionnement n'est pas disponible.

Autres fournisseurs chez Digi-Key

6 000En stock
Expédié par Rochester Electronics, LLC