Name: IDH10G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDH10G65C5XKSA2-ND
Price: 4.608 EUR
Availability: InStock

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IDH10G65C5XKSA2
Numéro de produit DigiKey	448-IDH10G65C5XKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDH10G65C5XKSA2
Description	DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 10A Trou traversant PG-TO220-2-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™+
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 10 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	180 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	300pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	IDH10G65

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En stock: 393

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,84000 €	3,84 €
50	1,97660 €	98,83 €
100	1,79590 €	179,59 €
500	1,47906 €	739,53 €
1 000	1,37731 €	1 377,31 €
2 000	1,35234 €	2 704,68 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.