Diode 650 V 10A Trou traversant PG-TO220-2-1
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IDH10G65C5XKSA2

Numéro de produit DigiKey
448-IDH10G65C5XKSA2-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDH10G65C5XKSA2
Description
DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
61 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 10A Trou traversant PG-TO220-2-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 10 A
Vitesse
Temps de récupération nul > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
180 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
300pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDH10G65
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En stock: 391
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,05000 €4,05 €
502,07800 €103,90 €
1001,88710 €188,71 €
5001,55272 €776,36 €
1 0001,44531 €1 445,31 €
2 0001,35504 €2 710,08 €
5 0001,30897 €6 544,85 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:4,05000 €
Prix unitaire avec TVA:4,86000 €