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Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

IDH10G65C5XKSA2
Infineon Technologies
En stock: 393
Prix unitaire : 3,84000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

FFSP0865B
onsemi
En stock: 750
Prix unitaire : 3,39000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

FFSP1065B-F085
onsemi
En stock: 772
Prix unitaire : 3,75000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

PCDP1065G1_T0_00001
Panjit International Inc.
En stock: 1 478
Prix unitaire : 3,52000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

S3D10065A
SMC Diode Solutions
En stock: 1 914
Prix unitaire : 1,74000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SICR10650
SMC Diode Solutions
En stock: 168
Prix unitaire : 2,67000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

UJ3D06510TS
onsemi
En stock: 11 657
Prix unitaire : 3,89000 €
Fiche technique
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TO-220-2
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IDH09G65C5XKSA1

Numéro de produit DigiKey
IDH09G65C5XKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDH09G65C5XKSA1
Description
DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2202
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 9A Trou traversant PG-TO220-2-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
9A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 9 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
310 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
270pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
PG-TO220-2-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDH09G65
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