Name: IAUA250N08S5N018AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUA250N08S5N018AUMA1TR-ND
Price: 4.62 EUR
Availability: InStock

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IAUA250N08S5N018AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUA250N08S5N018AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUA250N08S5N018AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUA250N08S5N018AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUA250N08S5N018AUMA1
Description	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 250A (Tj) 238W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-5-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUA250N08S5N018AUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	250A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,8mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8715 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	238W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-5-4
Boîtier	5-PowerSFN
Numéro de produit de base	IAUA250