FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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FS45MR12W1M1B11BOMA1
Numéro de produit DigiKey	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Description	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY1BM-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™+
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Obsolète
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	6 canaux N (pont triphasé)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	45mohms à 25A, 15V (typ.)
Vgs(th) (max.) à Id	5,55V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	62nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1840pF à 800V
Puissance - Max.	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	AG-EASY1BM-2
Numéro de produit de base	FS45MR12

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	118,11000 €	118,11 €
24	103,71167 €	2 489,08 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.