Nouveau produit
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 185 A (Tc) Montage sur châssis AG-62MMHB
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FF3MR12KM1HSHPSA1

Numéro de produit DigiKey
448-FF3MR12KM1HSHPSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF3MR12KM1HSHPSA1
Description
FF3MR12KM1HSHPSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 185 A (Tc) Montage sur châssis AG-62MMHB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FF3MR12KM1HSHPSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
185 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,62mohms à 280A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 112mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
800nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
24200pF à 800V
Puissance - Max.
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
AG-62MMHB
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Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1206,00000 €206,00 €
10187,97800 €1 879,78 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:206,00000 €
Prix unitaire avec TVA:247,20000 €