FF3MR12KM1HPHPSA1
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FF3MR12KM1HHPSA1

Numéro de produit DigiKey
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
FF3MR12KM1HHPSA1
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
14 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 190 A (Tc) Montage sur châssis AG-62MMHB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FF3MR12KM1HHPSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™
Conditionnement
Boîte
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
190 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,44mohms à 280A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 112mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
800nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
24200pF à 800V
Puissance - Max.
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
AG-62MMHB
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
1295,61000 €295,61 €
10255,58300 €2 555,83 €
30243,89200 €7 316,76 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:295,61000 €
Prix unitaire avec TVA:354,73200 €