FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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FF2MR12KM1HOSA1
Numéro de produit DigiKey	448-FF2MR12KM1HOSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FF2MR12KM1HOSA1
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 500 A (Tc) Montage sur châssis AG-62MM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FF2MR12KM1HOSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Obsolète
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	500 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,13mohms à 500A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	5,15V à 224mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1340nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	39700pF à 800V
Puissance - Max.	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	AG-62MM
Numéro de produit de base	FF2MR12

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Quantité

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	747,66000 €	747,66 €

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