MOSFET - Matrices 3300V (3,3kV) 925A (Tc) Montage sur châssis AG-XHP2K33
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FF2000UXTR33T2M1BPSA1

Numéro de produit DigiKey
448-FF2000UXTR33T2M1BPSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF2000UXTR33T2M1BPSA1
Description
MOSFET 2N-CH 3300V 9AG-XHP2K33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
29 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 3300V (3,3kV) 925A (Tc) Montage sur châssis AG-XHP2K33
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Boîte
Statut du composant
Actif
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
3300V (3,3kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
925A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,4mohms à 1000A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
5,55V à 900mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
5000nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
203000pF à 1800V
Puissance - Max.
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
AG-XHP2K33
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en EUR
Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
14 671,60000 €4 671,60 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:4 671,60000 €
Prix unitaire avec TVA:5 605,92000 €