Name: F413MXTR12C1M2H11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-F413MXTR12C1M2H11BPSA1-ND
Price: 127.536 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

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F413MXTR12C1M2H11BPSA1
Numéro de produit DigiKey	448-F413MXTR12C1M2H11BPSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	F413MXTR12C1M2H11BPSA1
Description	F413MXTR12C1M2H11BPSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 60A 20mW Montage sur châssis
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	EasyPACK™
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	4 Canal N
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60A
Rds On (max.) à Id, Vgs	12,5mohms à 50A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,15V à 22mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	158nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4800pF à 800V
Puissance - Max.	20mW
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	-

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	106,28000 €	106,28 €
24	91,53833 €	2 196,92 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.