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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
F411MR12W3M1HB11BPSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-F411MR12W3M1HB11BPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
Description | F411MR12W3M1HB11BPSA1 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 75 A (Tj) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | F411MR12W3M1HB11BPSA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Plateau | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 4 Canal N | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 75 A (Tj) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 16mohms à 75A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,15V à 30mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 223nC à 18V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 6600pF à 800V | |
Puissance - Max. | - | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | - |
En stock: 8
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 119,55000 € | 119,55 € |
| 16 | 97,26813 € | 1 556,29 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 119,55000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 143,46000 € |
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