F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-(secondary)
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Numéro de produit DigiKey
448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY2B
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
85A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs
12mohms à 100A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,15V à 40mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
297nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8800pF à 800V
Puissance - Max.
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
AG-EASY2B
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
199,76000 €99,76 €
1884,90000 €1 528,20 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:99,76000 €
Prix unitaire avec TVA:119,71200 €