Name: BSZ215CHXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ215CHXTMA1TR-ND
Price: 2.436 EUR
Availability: InStock

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BSZ215CHXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSZ215CHXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSZ215CHXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSZ215CHXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ215CHXTMA1
Description	MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 5,1 A, 3,2 A 2,5W Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ215CHXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 110µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2,8nC à 4,5V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 419pF à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 2,5W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration Canal N et P, complémentaire	Qualification AEC-Q101
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 2,5V	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier 8-PowerTDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,1 A, 3,2 A	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 55mohms à 5,1A, 4,5V	Numéro de produit de base BSZ215